龍騰半導(dǎo)體的多層外延產(chǎn)品主要包括超結(jié)MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）器件。這些產(chǎn)品采用了先進(jìn)的多層外延工藝，這是一種在硅襯底上通過多次摻雜和熱推進(jìn)來生長多層摻雜不同的外延層的技術(shù)。這種工藝可以實(shí)現(xiàn)高電壓承受能力和低導(dǎo)通電阻的特性，使得超結(jié)MOSFET非常適合用于需要高效能功率管理的應(yīng)用場(chǎng)景。

超結(jié)MOS工藝介紹

多層外延工藝 (Multi-EPI)

• 開發(fā)背景：多層外延工藝是較早被開發(fā)出來的、較為成熟的超結(jié)MOS制造技術(shù)。

• 工藝特點(diǎn)：

  • 基于平面硅生長技術(shù)。

  • 通過在外延生長過程中形成多個(gè)PN結(jié)來構(gòu)建超結(jié)結(jié)構(gòu)。

  • 具有更高的電壓承受能力以及更低的導(dǎo)通電阻。

  • 相比傳統(tǒng)SuperJunction技術(shù)，能夠進(jìn)一步降低生產(chǎn)成本。

• 優(yōu)點(diǎn)：

  • 在漏電控制、高溫可靠性及長期可靠性方面表現(xiàn)優(yōu)異。

  • 動(dòng)態(tài)特性優(yōu)良，因?yàn)檎麄€(gè)外延過程基于平整界面生長，減少了外延位錯(cuò)缺陷。

• 缺點(diǎn)：

  • 制備工藝相對(duì)復(fù)雜，導(dǎo)致成本較高。

  • 光刻控制難度較大。

深溝槽工藝 (Deep-Trench)

• 工藝特點(diǎn)：

  • 一種更為巧妙且相對(duì)簡單的實(shí)現(xiàn)超結(jié)技術(shù)的方法。

  • 首先通過外延設(shè)備生長一層幾十微米厚的外延層。

  • 然后利用深槽刻蝕設(shè)備雕刻出高寬比很大的溝槽，并通過外延方式填充該溝槽以形成P柱結(jié)構(gòu)。

• 優(yōu)點(diǎn)：

  • 工藝簡單，成本較低。

  • 減少了晶體缺陷，從而提高了產(chǎn)品的可靠性和穩(wěn)定性。

• 缺點(diǎn)：

  • 溝槽側(cè)邊與底部蝕刻形貌難以精確控制至平滑狀態(tài)。

  • 在深寬比大的情況下，外延填充時(shí)容易在溝槽底部產(chǎn)生不規(guī)則空洞，影響芯片長期工作時(shí)的可靠性。

  • 由于界面接近突變結(jié)，動(dòng)態(tài)特性相對(duì)較差，在應(yīng)用中可能面臨一定挑戰(zhàn)。

這兩種工藝各有優(yōu)劣，選擇哪一種取決于具體的應(yīng)用需求、制造工藝的可行性以及其他因素如成本考量等。對(duì)于追求高性能但預(yù)算有限的情況，深溝槽工藝可能是更經(jīng)濟(jì)的選擇；而對(duì)于那些對(duì)器件性能有著極高要求的應(yīng)用，則可能會(huì)傾向于采用多層外延工藝。龍騰半導(dǎo)體提供的超結(jié)MOSFET產(chǎn)品線涵蓋了多種規(guī)格和技術(shù)參數(shù)，適用于新能源汽車、充電樁、通信電源等多個(gè)領(lǐng)域。

以下為龍騰650V 多層外延產(chǎn)品具體規(guī)格：