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上海功成半導(dǎo)體代理的超結(jié)MOS介紹-美瑞電子

上海功成半導(dǎo)體的超結(jié)MOS介紹

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超結(jié)MOS概述

超結(jié)MOSFET(superjunction MOSFET)是一種重要的功率半導(dǎo)體器件,為克服傳統(tǒng)平面MOSFET的局限性而出現(xiàn)。傳統(tǒng)平面MOSFET在高電壓應(yīng)用中,高電壓需要更厚的漂移區(qū)來承受,但會導(dǎo)致更高的導(dǎo)通電阻,增加功率損耗。而超結(jié)MOSFET利用創(chuàng)新結(jié)構(gòu)設(shè)計,顯著降低了導(dǎo)通電阻,同時維持了高擊穿電壓。

上海功成半導(dǎo)體超結(jié)MOS特點(diǎn)

上海功成半導(dǎo)體(Coolsemi)的高壓超結(jié)MOSFET通過先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化結(jié)構(gòu)設(shè)計,實(shí)現(xiàn)極低的特征導(dǎo)通電阻(Rdson*A),有效提高電源的功率密度和效率。

超結(jié)MOS結(jié)構(gòu)設(shè)計

垂直結(jié)構(gòu)設(shè)計

與傳統(tǒng)的平面MOSFET不同,超結(jié)MOSFET采用垂直結(jié)構(gòu),電流在器件中垂直流動。這種設(shè)計能有效利用芯片的厚度來優(yōu)化電流的流動路徑,從而降低導(dǎo)通電阻。

交替P型和N型區(qū)域

這些交替的區(qū)域在器件導(dǎo)通時形成了一個高效的電流通道,而在關(guān)斷時則能夠分擔(dān)電場,使得器件能夠承受更高的電壓。

超結(jié)MOS優(yōu)勢

更低的導(dǎo)通電阻(R)

超結(jié)MOSFET的結(jié)構(gòu)設(shè)計顯著降低了導(dǎo)通電阻。這意味著在相同電壓等級下,超結(jié)MOSFET能夠提供更高的效率,減少功率損耗。上海功成半導(dǎo)體的超結(jié)MOSFET也具備此優(yōu)勢,可有效提高電源效率。

更高的擊穿電壓(BV)

得益于其獨(dú)特的結(jié)構(gòu),超結(jié)MOSFET在不增加芯片尺寸的情況下,能夠?qū)崿F(xiàn)更高的擊穿電壓,在高壓應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

更好的熱性能

低導(dǎo)通電阻意味著更少的熱量產(chǎn)生,對于需要長時間高效運(yùn)行的應(yīng)用是一個重要的優(yōu)勢。

超結(jié)MOS應(yīng)用領(lǐng)域

超結(jié)MOSFET在多個領(lǐng)域廣泛應(yīng)用,上海功成半導(dǎo)體的超結(jié)MOS產(chǎn)品已應(yīng)用于多個細(xì)分市場,具體如下:

應(yīng)用領(lǐng)域應(yīng)用場景
開關(guān)電源超結(jié)MOSFET的低導(dǎo)通電阻和高擊穿電壓使其非常適合用于開關(guān)電源中,能夠提高轉(zhuǎn)換效率,減少能量損失2。
電動汽車(EV)被廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動和電池管理系統(tǒng)中,其高效能和優(yōu)異的熱性能能夠提升整車的性能和可靠性2。
光伏逆變器光伏逆變器需要處理高電壓和大電流,超結(jié)MOSFET的性能優(yōu)勢使其成為這些系統(tǒng)中的理想選擇,能夠提高能量轉(zhuǎn)換效率,減少熱量損耗2。
工業(yè)自動化在工業(yè)自動化領(lǐng)域,超結(jié)MOSFET被用于各種電機(jī)驅(qū)動和電源管理應(yīng)用中2。
其他上海功成半導(dǎo)體聚焦新能源、數(shù)據(jù)中心、汽車電子、智能家電以及高端消費(fèi)電子領(lǐng)域,其超結(jié)MOS產(chǎn)品還應(yīng)用于直流充電樁、通信電源、服務(wù)器電源、便攜式儲能、戶用儲能、車載PTC等細(xì)分市場1。

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