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30V低壓MOS 綠星SG30N04E DFN3*3
顛覆業(yè)界傳統(tǒng)的低壓MOS制程，大幅降低RDS內(nèi)阻切換損失。
臺(tái)灣綠星低壓MOS產(chǎn)品融入DG-FET深溝槽創(chuàng)新技術(shù)，將內(nèi)阻值死磕到底，肉眼可見(jiàn)的出類(lèi)拔萃。
美瑞電子致力于推動(dòng)品質(zhì)專(zhuān)線(xiàn)邁入普惠時(shí)代，帶入千行百業(yè)。
臺(tái)灣綠星電子創(chuàng)立于 2002 年5月，專(zhuān)注于功率半導(dǎo)體元件設(shè)計(jì)與銷(xiāo)售。主要應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)椋弘姍C(jī)驅(qū)動(dòng)控制、電池管理系統(tǒng)、電動(dòng)工具、花園工具、大型儲(chǔ)能裝置、工業(yè)直流馬達(dá)控制、高功率密度電源模組以及各式消費(fèi)性電子產(chǎn)品。2017年全新世代 DG -FET? 金屬氧 半場(chǎng)效電晶體正式發(fā)表。
30V低壓MOS 綠星SG30N04E DFN3*3
顛覆業(yè)界傳統(tǒng)的低壓MOS制程，大幅降低RDS內(nèi)阻切換損失。
臺(tái)灣綠星低壓MOS產(chǎn)品融入DG-FET深溝槽創(chuàng)新技術(shù)，將內(nèi)阻值死磕到底，肉眼可見(jiàn)的出類(lèi)拔萃。
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